[发明专利]用于可重构全息天线的SiGe基等离子pin二极管的制备方法

摘要

本发明涉及一种用于可重构全息天线的SiGe基等离子pin二极管的制备方法，该制备方法包括选取某一晶向的SiGeOI衬底，在SiGeOI衬底上设置隔离区；刻蚀所述衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于衬底的顶层SiGe的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在衬底的顶层SiGe内形成第二P型有源区和第二N型有源区；在衬底上形成引线，以完成SiGe基等离子pin二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能SiGe基等离子pin二极管。

主权项

一种用于可重构全息天线的SiGe基等离子pin二极管的制备方法，其特征在于，所述SiGe基等离子pin二极管用于制作可重构全息天线，所述可重构全息天线包括：SiGeOI半导体基片(1)；制作在所述SiGeOI半导体基片(1)上的第一天线臂(2)、第二天线臂(3)、同轴馈线(4)及全息圆环(14)；其中，所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)包括分布在所述同轴馈线(4)两侧且等长的SiGe基等离子pin二极管串，所述全息圆环(14)包括多个SiGe基等离子pin二极管串(w7)；所述制备方法包括步骤：(a)选取某一晶向的SiGeOI衬底，在SiGeOI衬底上设置隔离区；(b)在所述衬底表面形成第二保护层；利用光刻工艺在所述第二保护层上形成第二隔离区图形；利用干法刻蚀工艺在所述第二隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第二保护层及所述衬底以形成P型沟槽和N型沟槽；(c)在所述P型沟槽和所述N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；(d)填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述衬底的顶层SiGe内形成第二P型有源区和第二N型有源区；(e)在所述衬底上生成二氧化硅，利用退火工艺激活有源区中的杂质，在所述P型接触区和所述N型接触区光刻引线孔以形成引线，钝化处理并光刻PAD以形成所述等离子pin二极管。