[发明专利]一种硒化亚锗多晶薄膜和含有该薄膜的太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201611184377.2 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106783541B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 胡劲松;何超;薛丁江;刘顺畅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/24;H01L31/0216;C23C18/12 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞;牛艳玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高质量的硒化亚锗多晶薄膜及其制备方法，及含有该硒化亚锗多晶薄膜的太阳能电池及其制备方法。所述硒化亚锗多晶薄膜厚度为300～500nm，所述制备方法是采用近空间升华法，且所述方法制备工艺简单，反应周期短，成膜质量好。所述太阳能电池中p型吸收层材料GeSe中所含元素均为地壳中含量较高的元素，资源丰富且因不含有毒成分而对环境友好，其间接禁带宽度为1.12eV，其吸收边波长约为1000nm，对太阳光谱的响应处于最理想的太阳光谱波段，吸光系数高达105cm‑1，同时因其升华特性可利用近空间升华法快速成膜，因此由其构成的化合物薄膜太阳能电池具有优异的光伏性能且对环境友好并有望实现低成本生产的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硒化亚锗 多晶 薄膜 含有 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硒化亚锗多晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述薄膜采用近空间升华法制备，所述制备方法具体包括如下步骤：(1)设定快速退火炉的沉积程序；(2)将硒化亚锗原料和基底置于快速退火炉的沉积腔体中，利用真空泵，使沉积腔体气压维持在5～20mTorr；(3)运行沉积程序，制备得到硒化亚锗多晶薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
