[发明专利]基于GaAs/Ge/GaAs异质结构的频率可重构全息天线制备方法在审

专利信息
申请号: 201611183933.4 申请日: 2016-12-20
公开(公告)号: CN106602214A 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 尹晓雪;张亮 申请(专利权)人: 西安科锐盛创新科技有限公司
主分类号: H01Q1/22 分类号: H01Q1/22;H01Q1/50;H01Q1/36;H01Q5/321
代理公司: 西安智萃知识产权代理有限公司61221 代理人: 刘长春
地址: 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种基于GaAs/Ge/GaAs异质结构的频率可重构全息天线制备方法;其中,所述可重构全息天线包括GeOI衬底、第一天线臂、第二天线臂、同轴馈线、直流偏置线及全息圆环;所述制备方法包括在所述GeOI衬底制作多个GaAs/Ge/GaAs异质结构的SPiN二极管串;由多个等长的GaAs/Ge/GaAs异质结构的SPiN二极管串形成所述第一天线臂和所述第二天线臂;制作八段等长的GaAs/Ge/GaAs异质结构的SPiN二极管串形成正八边形结构的所述全息圆环;制作所述同轴馈线以连接所述第一天线臂及所述第二天线臂,形成所述可重构全息天线;本发明制备的全息天线体积小、结构简单、易于加工、无复杂馈源结构、频率可快速跳变,且天线关闭时将处于电磁波隐身状态,易于组阵,可用作相控阵天线的基本组成单元。
搜索关键词: 基于 gaas ge 结构 频率 可重构 全息 天线 制备 方法
【主权项】:
一种基于GaAs/Ge/GaAs异质结构的频率可重构全息天线制备方法,其特征在于,所述可重构全息天线包括GeOI衬底、第一天线臂、第二天线臂、同轴馈线、直流偏置线及全息圆环;其中,所述可重构全息天线制备方法包括:在所述GeOI衬底制作多个GaAs/Ge/GaAs异质结构的SPiN二极管;将多个GaAs/Ge/GaAs异质结构的SPiN二极管依次首尾相连形成多个GaAs/Ge/GaAs异质结构的SPiN二极管串;由多个等长的GaAs/Ge/GaAs异质结构的SPiN二极管串形成所述第一天线臂和所述第二天线臂;在所述第一天线臂和所述第二天线臂外侧制作八段等长的GaAs/Ge/GaAs异质结构的SPiN二极管串形成正八边形结构的所述全息圆环;制作所述同轴馈线以连接所述第一天线臂及所述第二天线臂,形成所述可重构全息天线。
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