[发明专利]鳍式场效应晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201611181546.7 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN107170823B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;方子韦;王参群;陈科维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开一种鳍式场效应晶体管，其包括衬底、至少一个栅极堆叠件和外延材料部分。所述衬底具有鳍和位于鳍之间的绝缘体，所述鳍包含沟道部分和位于所述沟道部分旁边的侧翼部分。所述至少一个栅极堆叠件设置在绝缘体和鳍的沟道部分的上方。所述外延材料部分设置于鳍的侧翼部分的上方和至少一个栅极堆叠件的两侧。设置在所述鳍的侧面上的所述外延材料部分互相隔离。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管，包括：衬底，具有鳍和位于所述鳍之间的绝缘体，其中，所述鳍包括沟道部分和位于所述沟道部分旁边的侧翼部分；至少一个栅极堆叠件，设置在所述衬底上方、设置在所述绝缘体上和所述鳍的所述沟道部分上方；和外延材料部分，设置在所述鳍的所述侧翼部分上方和所述至少一个栅极堆叠件的两相对侧处，其中，设置在所述鳍的所述侧翼部分上的所述外延材料部分彼此隔离。
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