[发明专利]翘曲晶圆的吸附方法及使用该吸附方法的装置有效
| 申请号： | 201611180576.6 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108206144B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 陈明辉 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 张海英;林波 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种翘曲晶圆的吸附方法及使用该吸附方法的装置，属于半导体技术领域，为解决现有翘曲晶圆无法进行吸附的问题而设计。本发明翘曲晶圆的吸附方法是使用正常晶圆在吸盘上形成吸附正常的状态，再使用翘曲晶圆替换正常晶圆，水平调整和/或旋转调整翘曲晶圆在吸盘上的位置直至翘曲晶圆被吸附在吸盘上。本发明装置包括连接至真空系统的吸盘，吸盘上设置有多个吸孔；真空系统上设置有控制开关。本发明翘曲晶圆的吸附方法尽可能地不因翘曲而废弃晶圆，让尽可能多的晶圆能成功地切割成芯片，提高成品率，降低成本。本发明装置能使用上述吸附方法来光刻翘曲晶圆，避免这些晶圆被废弃掉，光刻效果良好。 | ||
| 搜索关键词： | 翘曲晶圆 吸附 方法 使用 装置 | ||
【主权项】：
1.一种翘曲晶圆的吸附方法，其特征在于，所述吸附方法是使用正常晶圆在吸盘(1)上形成吸附正常的状态，再使用翘曲晶圆(2)替换所述正常晶圆，水平调整和/或旋转调整所述翘曲晶圆(2)在所述吸盘(1)上的位置直至所述翘曲晶圆(2)被吸附在所述吸盘(1)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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