[发明专利]一种恒流状态下谷底开通控制电路有效
申请号: | 201611175086.7 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN106787750B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 杨川 | 申请(专利权)人: | 深圳市群芯科创电子有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
代理公司: | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人: | 张明 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及开关控制技术领域,尤其涉及一种恒流状态下谷底开通控制电路,包括:采样电路、谷底检测电路、副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路、CV控制电路、运算器、第一开关控制电路、基准电压电路、第二开关控制电路、积分器、比较器、第三开关控制电路、采样电阻、MOS管、原边电感、副边电感、二极管和第一电容;本发明的一种恒流状态下谷底开通控制电路是系统工作在恒流时,使得AC‑DC开关电源始终工作在第一个谷底时开通,在恒压工作状态时,始终在谷底开启功率MOS管,大大降低系统的辐射,与一般的谷底开通电路相比,系统效率可以提高2个百分点。 | ||
搜索关键词: | 一种 状态 谷底 开通 控制电路 | ||
【主权项】:
一种恒流状态下谷底开通控制电路,其特征在于,包括:采样电路、谷底检测电路、副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路、CV控制电路、运算器、第一开关控制电路、基准电压电路、第二开关控制电路、积分器、比较器、第三开关控制电路、采样电阻、MOS管、原边电感、副边电感、二极管和第一电容;所述谷底检测电路、副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路和CV控制电路分别与采样电路连接;所述谷底检测电路与第三开关控制电路连接;所述副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路和CV控制电路分别与运算器连接;所述第一开关控制电路和第二开关控制电路分别与运算器连接;所述基准电压电路与第一开关控制电路连接;所述第二开关控制电路接地;所述比较器包括正极输入端、负极输入端和输出端;所述第一开关控制电路和第二开关控制电路分别与积分器的输入端连接;所述积分器的输出端与所述比较器的正极输入端连接;所述比较器的输出端通过第三开关控制电路与MOS管连接;所述MOS管通过采样电阻接地;所述MOS管与所述比较器的负极输入端连接;所述MOS管与原边电感连接;所述副边电感的一端与二极管的正极连接;所述二极管的负极与第一电容的一端连接;所述第一电容的另一端与所述副边电感的另一端连接。
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