[发明专利]高压低热预算高K后退火工艺

摘要

提供了一种制造PMOS器件时嵌入SiGe的方法。可形成多层具有不同Ge含量的SiGe层，以使得从(众)底层向(众)中间层Ge含量增大，而从(众)中间层向(众)顶层Ge含量减小。在一些实施例中，该嵌入式SiGe具有衬底之上的SiGe种子层、该SiGe种子层之上的第一SiGe过渡层、该第一SiGe过渡层之上的SiGe中间层、以及该SiGe中间层之上的第二SiGe过渡层。该第一SiGe过渡层可具有从该第一SiGe过渡层的底部往该第一SiGe过渡层的顶部增大的Ge含量。该第二SiGe过渡层可具有从该第二SiGe过渡层的底部往该第二SiGe过渡层的顶部减小的Ge含量。

主权项

一种用于形成p沟道金属氧化物半导体(PMOS)器件的方法，所述方法包括：形成衬底，所述衬底包括硅材料；蚀刻所述衬底以形成腔；以及在所述腔中沉积硅锗以形成所述衬底的表面之上的SiGe种子层、所述SiGe种子层之上的第一SiGe过渡层、所述第一SiGe过渡层之上的SiGe中间层、以及所述SiGe中间层之上的第二SiGe过渡层，其中所述第一SiGe过渡层具有从所述第一SiGe过渡层的底部向所述第一SiGe过渡层的顶部增大的锗Ge含量，其中所述第一SiGe过渡层的底部的Ge含量与所述SiGe种子层中的Ge含量相同或者更高；所述SiGe中间层具有与所述第一SiGe过渡层的顶部的Ge含量相同或更高的Ge含量；以及所述第二SiGe过渡层具有从所述第二SiGe过渡层的底部向所述第二SiGe过渡层的顶部降低的Ge含量，其中所述第二SiGe过渡层的底部的Ge含量与所述SiGe中间层中的Ge含量相同或者更低。