[发明专利]一种400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备方法

摘要

一种400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备方法，其步骤包括：1）安装溅射靶材；2）清洗玻璃基片并安装；3)抽真空度至8×10^‑4Pa以下；4）采用直流溅射制备ITO薄膜诱导层；5）生长400主峰晶面高度择优取向的ITO薄膜。本发明通过对基片温度、溅射气压、溅射功率等的控制先在玻璃基片上制备400主峰择优取向的ITO薄膜诱导层，然后再通过制备工艺参数的控制即可生长具有400主峰高度择择优的ITO薄膜。本发明采用同质诱导实现400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备，无需引入异质中间诱导层或经后续退火处理，具有工艺简单，易于实现工业化的特点，所制备的ITO薄膜具有高度400主峰晶面择优取向，光电性能优异。

主权项

1.一种400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备方法，其特征在于，操作步骤包括：步骤1：溅射靶材安装；步骤2：清洗玻璃基片并安装；步骤3：抽真空度至8×10^‑4Pa以下；步骤4：采用直流溅射制备ITO薄膜诱导层；步骤5：生长400主峰晶面高度择优取向的ITO薄膜；步骤1所述的溅射靶材包括ITO陶瓷靶材或经还原处理的ITO纳米粉体；所述的经还原处理的ITO纳米粉体控制失氧度在3%以下，平均粒径小于70nm；步骤2所述的清洗玻璃基片步骤包括：1）按要求切割一定尺寸的玻璃基片；2）用6mol/L的氢氧化钠的溶液浸泡1小时，并用去离子水超声清洗3次；3）用H₂SO₄︰H₂O₂ = 5︰1的溶液超声清洗30分钟，再用去离子水超声清洗3次； 4）用丙酮超声清洗10分钟，再用无水乙醇超声清洗10分钟；5）用高纯氮气吹干备用；步骤4所述的采用直流溅射制备ITO薄膜诱导层的工艺为：1）基片加热温为300℃～350℃；2）靶材与基片的距离为8cm～10cm；3）溅射功率为70W～90W；4）溅射气压为2Pa；5）通入氩气和氧气，氧气含量占总气体流量的比例为20%；6）厚度控制为10nm～30nm；在步骤4采用直流溅射制备ITO薄膜诱导层的工艺基础上，步骤5所述的生长400主峰晶面高度择优取向的ITO薄膜的工艺为：1）基片加热温为400℃～450℃；2）靶材与基片的距离为8～10cm；3）溅射功率为125W～150W；4）溅射气压为2.0 Pa～2.5Pa；5）氧气含量占总气体流量的比例为20%，且氧气含量按每沉积5nm降低2%的规律往下调至0%，随后在氧化含量为0%的条件再溅射至 所需求薄膜厚度；6）薄膜厚度控制为150nm～800nm。