[发明专利]一种基于相变纳米线的集成型光电存储器件及其测试方法有效
| 申请号： | 201611164714.1 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106782645B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 吕业刚;张巍;沈祥;王国祥;徐培鹏 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | G11C11/42 | 分类号： | G11C11/42 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 何仲 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于相变纳米线的集成型光电存储器件及其测试方法，特点是包括波导，波导两端分别连接有光栅垂直耦合器，波导的两侧对称分布有电极，波导上方设置有相变纳米线，相变纳米线与波导垂直，相变纳米线连接两个电极并形成欧姆接触，优点是可以实现电域和光域同时操作，可以利用光电混合模式实现多级存储，并能监测相变纳米线的瞬态过程，测试其相变速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 相变 纳米 集成 光电 存储 器件 及其 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于相变纳米线的集成型光电存储器件，其特征在于：包括波导，所述的波导两端分别连接有光栅垂直耦合器，所述的波导的两侧对称分布有电极，所述的波导上方设置有相变纳米线，所述的相变纳米线与所述的波导垂直，所述的相变纳米线连接两个所述的电极并形成欧姆接触，所述的波导为硅基平面光波导，其宽为0.1‑15μm，厚度为10‑1000nm；所述的电极与所述的波导之间的距离为0.1‑10μm；所述的光栅垂直耦合器的光栅为布拉格光栅，在波长为1.5‑1.6μm处的耦合效率为1‑50％；所述的相变纳米线为Sb基或Te基相变材料，其直径为20‑800nm，长度为1‑30μm。
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