[发明专利]一种基于双耦合量子点的近似二能级量子系统

摘要

一种基于双耦合量子点的近似二能级量子系统，由两个相距确定距离、相等半径的准二维圆盘形量子点相互耦合形成。本发明所述的量子点由半导体材料制成，量子尺寸效应使量子点的能态呈分立结构，双量子点间的耦合效应使两个原基态劈裂为二能级，其他能级耦合效应远小于该二能级间的耦合效应。本发明具有固态、体积小、结构简单、可调谐和较大耦合系数等优点，可应用于设计各种基于二能级结构的太赫兹波源、单光子源等量子光学元器件。

主权项

1.一种基于双耦合量子点的近似二能级量子系统，其特征在于：包括第一量子点(1)、第二量子点(2)；第一量子点(1)、第二量子点(2)半径相等且相距确定距离；第一量子点(1)、第二量子点(2)相互耦合，调整第一量子点(1)、第二量子点(2)的半径或第一量子点(1)、第二量子点(2)之间的距离，两个量子点的原基态劈裂为系统的两个最低能级为二能级，其他能级与该二能级间符合能级差判定标准；能级差判定标准为比值m＝μ12/(E2－E1):μ23/(E3－E2)>1，其中E1、E2、E3为系统的三个最低能级，μ12为系统最低两能级相应态的遂穿偶极矩，μ23为系统第二个态和第三个态之间的遂穿偶极矩。