[发明专利]一种红外探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201611160619.4 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108231926B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 黄勇;熊敏;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/109;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;侯艺 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种红外探测器，从下至上依次包括：衬底、p型InAs/GaSb超晶格下接触层、p型InAs/GaSb超晶格吸收层、InGaAs/InAs/InAsSb/InAs/InGaAs超晶格势垒层、p型InAs/GaSb超晶格上接触层；以及，设置于p型InAs/GaSb超晶格下接触层的上端面的下电极和设置于p型InAs/GaSb超晶格上接触层的上端面的上电极。本发明使用无Al的InGaAs/InAs/InAsSb/InAs/InGaAs W型超晶格作为势垒层，材料容易外延生长，并且长期稳定性和可靠型较高。 | ||
| 搜索关键词： | 超晶格 红外探测器 上接触层 下接触层 势垒层 上端 半导体技术领域 长期稳定性 外延生长 吸收层 下电极 电极 衬底 制备 | ||
【主权项】：
1.一种红外探测器，其特征在于，从下至上依次包括：衬底、p型InAs/GaSb超晶格下接触层、p型InAs/GaSb超晶格吸收层、InGaAs/InAs/InAsSb/InAs/InGaAs超晶格势垒层、p型InAs/GaSb超晶格上接触层；以及，设置于所述p型InAs/GaSb超晶格下接触层的上端面的下电极和设置于所述p型InAs/GaSb超晶格上接触层的上端面的上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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