[发明专利]QLED及其制备方法有效
| 申请号： | 201611159253.9 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106784212B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 刘佳;曹蔚然;向超宇;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种QLED，包括依次层叠设置的基板、阳极、氧化石墨烯层、量子点发光层、氧化石墨烯衍生物层和阴极，其中，所述氧化石墨烯衍生物层由氧化石墨烯衍生物制成，所述氧化石墨烯衍生物为氧化石墨烯中的羧基质子被金属元素部分或全部替换后的氧化石墨烯衍生物。所述QLED的制备方法，包括以下步骤：提供基板，在所述基板上沉积阳极，在所述阳极上沉积氧化石墨烯水溶液，形成氧化石墨烯层；在所述氧化石墨烯层上沉积量子点发光层，在所述量子点发光层上沉积氧化石墨烯衍生物，形成氧化石墨烯衍生物层；在所述氧化石墨烯衍生物层上沉积阴极。 | ||
| 搜索关键词： | qled 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种QLED，其特征在于，包括依次层叠设置的基板、阳极、氧化石墨烯层、量子点发光层、氧化石墨烯衍生物层和阴极，其中，所述氧化石墨烯衍生物层的材料为氧化石墨烯衍生物，且所述氧化石墨烯衍生物包括GO‑Cs、GO‑Rb中的至少一种。
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