[发明专利]提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法及结构有效
| 申请号： | 201611153017.6 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106784181B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 田爱琴;刘建平;张书明;李德尧;张立群;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/24;H01L33/32;H01S5/343;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法及结构。所述方法包括以下步骤：采用一具有原子台阶的衬底，所述衬底上相邻原子台阶形成的斜切角大于0.2°；在原子台阶面上形成缓冲层；在缓冲层上形成高温n型GaN层；在高温n型GaN层上形成InGaN量子阱。本发明的采用大斜切角衬底提高InGaN量子阱发光效率的方法采用斜切角大于0.2°的衬底生长绿光或更长波长InGaN量子阱有源区，可以实现绿光或更长波长InGaN量子阱的原子台阶流生长，改善其形貌，并提高InGaN量子阱的内量子效率。此外，由上述方法制备得到的InGaN量子阱既可以广泛应用于GaN基绿光或更长波长LED、GaN基绿光或更长波长激光器中，也可以广泛应用于多量子阱太阳能电池中。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 更长 波长 ingan 量子 发光 效率 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法，其特征在于，包括：采用一具有原子台阶的衬底，所述衬底上相邻原子台阶形成的斜切角大于0.2°；在所述原子台阶面上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成高温n型GaN层；在所述高温n型GaN层上形成InGaN量子阱。
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