[发明专利]隔离结构和制造隔离结构的方法有效
| 申请号： | 201611152275.2 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106920770B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 金银贞;李振烈;宋翰相;金秀浩 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 王建国;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法包括在衬底中形成第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽互相连通，第二沟槽可以形成得比第一沟槽宽；在第一沟槽的内表面之上和在第二沟槽的内表面之上形成内衬层；在内衬层之上形成覆盖层，以形成融合的悬垂部分和未融合的悬垂部分，融合的悬垂部分可以填充第一沟槽的顶部部分，未融合的悬垂部分可以使第二沟槽的顶部部分开口；并且在覆盖层之上形成间隙填充层，以填充第一沟槽和第二沟槽的下部部分。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底中形成第一沟槽和第二沟槽，其中，第一沟槽和第二沟槽互相连通，其中，第二沟槽形成得比第一沟槽宽；在第一沟槽的内部表面之上和第二沟槽的内部表面之上形成内衬层；在内衬层之上形成覆盖层，以形成融合的悬垂部分和未融合的悬垂部分，其中，融合的悬垂部分填充第一沟槽的顶部部分，其中，未融合的悬垂部分使第二沟槽的顶部部分开口；并且在覆盖层之上形成间隙填充层，以填充第一沟槽和第二沟槽的下部部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
