[发明专利]一种采用二相流雾化清洗晶圆表面污染物的方法有效
申请号: | 201611149366.0 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN106856161B | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 滕宇;惠世鹏 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种采用二相流雾化清洗晶圆表面污染物的方法,通过对清洗工艺的步骤过程和各个步骤所采用的工艺参数进行优化,合理选定二相流雾化清洗晶圆表面颗粒污染物的工艺条件,明确清洗工艺窗口,实现对晶圆表面的有效清洗,在保证颗粒污染物高效去除效率的同时,对晶圆表面的图形结构不会造成损伤,从而获得综合的最优化的清洗效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 二相流 雾化 清洗 表面 污染物 方法 | ||
【主权项】:
1.一种采用二相流雾化清洗晶圆表面污染物的方法,其特征在于,包括以下步骤:/n步骤一:使晶圆以第一转速旋转,通过主液体管路向晶圆表面喷淋第一流量的第一清洗液体,以在晶圆表面形成液体薄膜,并对晶圆表面进行第一时间的清洗;/n步骤二:使晶圆以第二转速旋转,关闭主液体管路,并向二相流雾化喷嘴中通入第二流量的气态清洗介质和第三流量的液态清洗介质,以通过二相流雾化喷嘴向晶圆表面喷射经调制的雾化液体颗粒,并对晶圆表面进行第二时间的二相流雾化清洗;/n步骤三:使晶圆以第三转速旋转,关闭二相流雾化喷嘴,通过主液体管路向晶圆表面喷淋第四流量的第二清洗液体,对晶圆表面进行第三时间的冲洗,使颗粒污染物脱离晶圆表面;/n步骤四:使晶圆以第四转速旋转,关闭主液体管路,通过干燥管路向晶圆表面喷淋干燥介质,对晶圆表面进行第四时间的干燥;/n其中,第四转速大于第一-第三转速,第二转速不小于第一、第三转速,第二时间大于第一、第三、第四时间,第三、第四时间不小于第一时间,第二流量大于第五流量,第五流量大于第一、第三、第四流量,第一、第四流量大于第三流量。/n
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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