[发明专利]显示面板、显示装置、阵列基板及其制作方法有效
申请号: | 201611147799.2 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN106783733B | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 楼均辉;吴天一 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请公开了一种显示面板、显示装置、阵列基板及其制作方法,其中,阵列基板的制作方法包括:提供第一基板;在所述第一基板表面形成多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管,其中,所述第二薄膜晶体管具有与所述第一薄膜晶体管不同的绝缘阻挡层,以使所述第二薄膜晶体管的阈值电压高于所述第一薄膜晶体管的阈值电压。在利用所述薄膜晶体管形成栅极驱动电路时,可以利用阈值电压较高的第二薄膜晶体管作为所述栅极驱动电路的驱动信号输出薄膜晶体管,从而避免出现由于所述栅极驱动电路的驱动信号输出薄膜晶体管的阈值电压过小而使得所述栅极驱动电路出现输出多脉冲的异常,进而使所述显示面板出现显示异常的问题。 | ||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:提供第一基板;在所述第一基板表面形成多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管,其中,所述第二薄膜晶体管和第一薄膜晶体管均具有绝缘阻挡层,且所述第二薄膜晶体管具有与所述第一薄膜晶体管不同的绝缘阻挡层,以使所述第二薄膜晶体管的阈值电压高于所述第一薄膜晶体管的阈值电压;所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的形成过程包括:在所述第一基板表面形成多个第一栅极和多个第二栅极;在所述第一栅极和所述第二栅极上形成栅绝缘层;在所述栅绝缘层背离所述第一基板的表面上对应所述第一栅极的位置形成多个第一氧化物半导体层,和在所述栅绝缘层背离所述第一基板的表面上对应所述第二栅极的位置形成多个第二氧化物半导体层;在所述第一氧化物半导体层表面形成第一绝缘阻挡层,所述第一绝缘阻挡层部分覆盖所述第一氧化物半导体层;在所述覆盖有第一绝缘阻挡层的第一氧化物半导体层上,以及所述第二氧化物半导体层上形成第二绝缘阻挡层;形成所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源极、漏极以及钝化保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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