[发明专利]一种利用氧化少层硫化钼制备非晶氧化钼纳米片的方法有效
申请号: | 201611140260.4 | 申请日: | 2016-12-12 |
公开(公告)号: | CN106745262B | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 许群;刘威 | 申请(专利权)人: | 郑州大学 |
主分类号: | C01G39/02 | 分类号: | C01G39/02;B82Y40/00 |
代理公司: | 郑州先风专利代理有限公司41127 | 代理人: | 黄伟 |
地址: | 450000 河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明属于非晶氧化钼纳米材料制备技术领域,特别涉及一种利用氧化少层硫化钼来制备非晶氧化钼纳米片的方法。所述方法为制备体相硫化钼在乙醇水溶液中的分散液,将分散液烘干后进行煅烧,之后进行超临界二氧化碳处理使部分氧化的硫化钼转变成非晶氧化钼纳米片。本发明一种利用氧化少层硫化钼制备非晶氧化钼纳米片的方法简单易行,原料易得,环保无污染,有很好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 氧化 硫化 制备 氧化钼 纳米 方法 | ||
【主权项】:
一种利用氧化少层硫化钼制备非晶氧化钼纳米片的方法,其特征在于,制备体相硫化钼在乙醇水溶液中的分散液,将分散液烘干后进行煅烧,煅烧后的产物进行超临界二氧化碳处理使部分氧化的硫化钼转变成非晶氧化钼纳米片;其中,将体相硫化钼在体积百分比为10‑90%的乙醇水溶液中进行2‑6h水浴超声,然后将分散液在40‑100℃进行烘干获得氧化少层硫化钼;煅烧在温度300~400℃进行60~120min;进行超临界二氧化碳处理的条件为:压力12~20Mpa,温度40~120℃,磁力搅拌下反应3h后释放二氧化碳卸压。
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