[发明专利]激光对多晶硅材料表层的再结晶方法及应用

摘要

本发明公开激光对多晶硅材料表层的再结晶方法及应用。该方法是将去除表面的氧化层后的多晶硅材料制作成硅材料上表面带有类单晶表层的硅电池。本发明利用激光选择性扫描多晶硅材料的上表面，从而使带有晶体缺陷的多晶硅上表面重新融化和再结晶，形成几乎无晶体缺陷的类单晶表层。本发明可以大幅减少硅电池发射层的少数载流子复合，大幅提高硅电池效率。

主权项

激光对多晶硅材料表层的再结晶方法，其特征在于该方法包括以下步骤：步骤(1)、对多晶硅材料进行预处理，去除多晶硅材料表面的氧化层；其中多晶硅材料为带有晶体缺陷和金属杂质的硅材料；步骤(2)、利用激光扫描步骤(1)预处理后的多晶硅材料的上表面；由于激光的加热效应，多晶硅材料的表面层融化并随后再结晶；通过控制激光的移动时间速度，进而控制多晶硅材料的再结晶速度，直至生成一层晶向均一，无明显晶体缺陷的“类单晶”表层；所述的激光光源的强度控制在50～83.3W/mm2，模式为连续模式，波长控制在560～850nm，速度控制在1～6m/s。