[发明专利]铈钴掺杂的烧结钕铁硼磁体及其制备方法在审
| 申请号： | 201611129093.3 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106601460A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 冯招娣 | 申请（专利权）人： | 京磁材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 101300 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铈钴掺杂的烧结钕铁硼磁体。铈钴掺杂的烧结钕铁硼磁体按质量百分比包括PrNd28％～32％，B0.5％～1.5％，Ce0～3％，Al0.05％～0.55％，Cu0.05％～0.25％，Co0～2％，Ga0％～0.2％，余量为Fe。本发明还提供了烧结钕铁硼磁体的制备方法。本发明的铈钴掺杂的烧结钕铁硼磁体有更高的内禀矫顽力，高抗退磁能力，使用温度高，耐腐蚀性好同时降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 烧结 钕铁硼 磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铈钴掺杂的烧结钕铁硼磁体，所述烧结钕铁硼磁体按质量百分比包括：PrNd：28％～32％，B：0.5％～1.5％，Ce：0～3％，Al：0.05％～0.55％，Cu：0.05％～0.25％，Co：0～2％，Ga：0％～0.2％，余量为Fe。
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