[发明专利]一种晶背减薄方法及所使用的圆形治具

摘要

本发明提出一种晶背减薄方法，其包括以下步骤：放置圆形治具、贴膜、切割胶带膜、晶圆背面研磨、晶圆移至卡盒、晶圆背面酸法蚀刻、撕膜、晶圆背面金属沉积。本发明还进一步公开了一种用于晶背减薄方法中的圆形治具，该圆形治具为中空环状结构，并分为上部和下部，且该圆形治具具有一个缺口。采用本发明中晶背减薄方法，可以实现研磨区域的精细控制，同时简化晶圆减薄流程，圆形治具可以精确控制胶带膜超出晶圆边缘1‑2mm，有助于避免在后续晶圆传输转运和酸蚀刻过程中由于晶圆接触载具造成的破片问题。

主权项

1.一种晶背减薄方法，包括以下步骤：(1)在晶圆背面放置圆形治具，所述圆形治具为中空环状结构且具有直径不同的内边缘和外边缘，所述圆形治具使所述晶圆完全嵌在所述圆形治具中央与所述内边缘贴合；(2)在所述晶圆正面贴膜，采用贴胶机在所述晶圆正面贴附一层胶带膜并使所述晶圆正面贴合的所述胶带膜突出所述晶圆和所述圆形治具外边缘，所述胶带膜不与酸性或碱性溶液反应且所述胶带膜面积大于所述晶圆面积；(3)沿所述圆形治具的外边缘对所述晶圆正面贴附的所述胶带膜进行切割，使所述胶带膜突出所述晶圆1‑2mm；(4)去除所述圆形治具，将步骤(3)中得到的所述晶圆移至研磨机中采用研磨轮在所述晶圆背面进行机械研磨至设定厚度；(5)将具有突出晶圆1‑2mm胶带膜的所述晶圆取出移至特氟龙卡盒中；(6)在盛有步骤(5)得到的所述晶圆的所述特氟龙卡盒中放入所需酸液从而形成酸槽，并在所述酸槽中进行晶圆背面酸法蚀刻；(7)将步骤(6)中得到的背面蚀刻后的所述晶圆进行撕膜，去除所述晶圆正面的所述胶带膜；(8)对所述步骤(7)中得到的去除所述胶带膜后的所述晶圆进行背面金属沉积，得到沉积有所需金属组分的晶圆。