[发明专利]一种颗粒状碳化硅单晶的生长方法

摘要

针对现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种颗粒状碳化硅单晶的生长方法，通过使用多孔石墨板上涂覆高碳含量聚合物，在聚合物表面均匀布置小颗粒SiC籽晶，将多孔石墨板非涂覆面固定在石墨坩埚上盖上，SiC粉料放于石墨坩埚底部，坩埚上盖与SiC粉料相对放置，石墨坩埚放入感应加热炉中进行SiC单晶生长，生长温度1800℃‑2400℃，生长压力1×10^‑4Pa‑1×10⁴Pa，得到颗粒状SiC单晶。由此，可以直接得到颗粒状SiC单晶，避免了切割操作，并且颗粒状SiC单晶可以直接作为SiC宝石原料，提高了生产率，降低了生产成本。

主权项

1.一种颗粒状碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在多孔石墨板上涂覆高碳含量聚合物，所述高碳含量聚合物的含碳量高于50％，在聚合物涂层上均匀布置SiC籽晶颗粒，保证SiC籽晶颗粒紧密附着在聚合物涂层上；(2)将上述多孔石墨板水平放入真空加热炉，真空度保持在1Pa‑5×104Pa之间，加热升温至50℃‑150℃，保温一段时间，继续升温至200℃‑300℃；(3)将步骤(2)中的多孔石墨板放入真空炭化炉，按一定升温速率逐步升温至1000℃至1500℃，使聚合物中小分子释放，逐步石墨化，在多孔石墨板表面形成石墨层；(4)将处理后的多孔石墨板非涂覆面固定在坩埚上盖上，SiC粉料放于石墨坩埚底部，坩埚上盖与SiC粉料相对放置，放入感应加热炉进行SiC单晶生长；(5)在SiC单晶生长过程中，生长温度保持在1800℃‑2400℃，生长压力1×10‑4Pa‑1×104Pa，炉内通入惰性气体；(6)SiC粉料升华生成Si、Si2C和SiC2气相组分,气相组分逐步在SiC籽晶颗粒上沉积，得到颗粒状SiC单晶。