[发明专利]一种用于硅基多晶硅薄膜淀积的装置和方法在审
| 申请号： | 201611125650.4 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108179468A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 徐继平;刘浩懿;刘斌;程凤伶;崔彬;史训达;姜舰;曲翔;王海涛;何宇;鲁进军;张建;蔡丽艳;张亮 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于硅基多晶硅薄膜淀积的装置和方法。该装置包括：沉积主腔体、进气管、主气体输送通道、副气体输送通道、气体弥散孔和密封法兰；其中，主气体输送通道和副气体输送通道安装在沉积主腔体内，副气体输送通道与主气体输送通道垂直相连；进气管的一端经密封法兰连接主气体输送通道，另一端连接位于沉积主腔体外部的源气体MFC；气体弥散孔均匀分布在副气体输送通道上。本发明的装置能够实现单管生长，无单独的导气管，安装极其简便，同时工艺调整简单。通过该装置生产出的膜质吸杂性能非常好，片内和片间均匀性小，生长成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | 气体输送通道 输送通道 主气体 沉积 多晶硅薄膜 密封法兰 进气管 主腔体 弥散 淀积 硅基 片间均匀性 垂直相连 工艺调整 一端连接 装置生产 生长 导气管 源气体 单管 膜质 吸杂 主腔 体内 外部 | ||
【主权项】：
1.一种用于硅基多晶硅薄膜淀积的装置，其特征在于，该装置包括：沉积主腔体、进气管、主气体输送通道、副气体输送通道、气体弥散孔和密封法兰；其中，主气体输送通道和副气体输送通道安装在沉积主腔体内，副气体输送通道与主气体输送通道垂直相连；进气管的一端经密封法兰连接主气体输送通道，另一端连接位于沉积主腔体外部的源气体MFC；气体弥散孔均匀分布在副气体输送通道上。
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