[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区和PMOS区，所述NMOS区和PMOS区上形成有栅极结构，所述栅极结构的顶部形成有栅极硬掩膜层；形成覆盖所述栅极结构的第一间隙壁层，所述第一间隙壁层具有露出所述栅极硬掩膜层的开口；形成覆盖所述栅极硬掩膜层及所述第一间隙壁层的第二间隙壁层；刻蚀位于所述PMOS区的第二间隙壁层和第一间隙壁层，以在所述PMOS区中栅极结构的侧壁上形成间隙壁结构；在所述PMOS区的栅极结构两侧的半导体衬底内形成嵌入式锗硅结构；去除第二间隙壁层及所述栅极硬掩膜层。根据本发明提供的方法，可省去一次NMOS区域第一间隙壁层的光刻与刻蚀制程。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区和PMOS区，所述NMOS区和PMOS区上形成有栅极结构，所述栅极结构的顶部形成有栅极硬掩膜层；

形成覆盖所述栅极结构的第一间隙壁层，所述第一间隙壁层具有露出所述栅极硬掩膜层的开口；

形成覆盖所述栅极硬掩膜层及所述第一间隙壁层的第二间隙壁层；

刻蚀位于所述PMOS区的第二间隙壁层和第一间隙壁层，以在所述PMOS区中栅极结构的侧壁上形成间隙壁结构；

在所述PMOS区的栅极结构两侧的半导体衬底内形成嵌入式锗硅结构；

去除所述第二间隙壁层及所述栅极硬掩膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构的侧壁上形成有偏移侧壁，所述第一间隙壁层覆盖在所述偏移侧壁上。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在去除所述第二间隙壁层的步骤之后，还包括去除所述第一间隙壁层的步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二间隙壁层为SiN层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极硬掩膜层为SiN层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成具有所述开口的所述第一间隙壁层的方法包括：形成覆盖所述栅极结构、栅极硬掩膜层和半导体衬底的第一间隙壁材料层；去除所述第一间隙壁材料层覆盖栅极硬掩膜层的部分。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，去除所述第一间隙壁材料层覆盖栅极硬掩膜层的部分的方法包括：

形成覆盖所述第一间隙壁层的硬掩膜层；

至少刻蚀去除位于所述栅极硬掩膜层顶部的所述硬掩膜层；

以所述硬掩膜层为掩膜执行湿法刻蚀，以去除位于所述栅极硬掩膜层顶部的所述第一间隙壁层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在去除位于所述栅极硬掩膜层顶部的所述第一间隙壁层之后，采用原子层沉积法沉积覆盖所述栅极硬掩膜层及所述硬掩膜层的第二间隙壁层，所述第二间隙壁层与所述硬掩膜层的材质相同。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述第二间隙壁层及栅极硬掩膜层的方法为湿法刻蚀。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的蚀刻剂包括磷酸。

11.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，去除所述第一间隙壁层的方法为湿法刻蚀。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一间隙壁层为氧化物层。