[发明专利]砷化镓晶圆用除氧托盘有效
申请号: | 201611116809.6 | 申请日: | 2016-12-07 |
公开(公告)号: | CN106653664B | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 王干;赵玉华 | 申请(专利权)人: | 南方科技大学 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人: | 潘霞<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 518055广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种砷化镓晶圆用除氧托盘。该砷化镓晶圆用除氧托盘包括底座和定位组件;底座开设有贯通底座且用于安装砷化镓晶圆的安装孔,安装孔的侧壁上设有限位凸起;定位组件能够与底座固定连接,且定位组件与限位凸起能够分别与砷化镓晶圆的相对的两个表面的边缘相抵接而夹持固定砷化镓晶圆;其中,底座和定位组件的熔点均在1000℃以上。上述砷化镓晶圆用除氧托盘能够简化砷化镓晶圆的除氧工艺的操作、提高除氧效率且能够较为稳固地固定砷化镓晶圆。 | ||
搜索关键词: | 砷化镓晶圆用 托盘 | ||
【主权项】:
1.一种砷化镓晶圆用除氧托盘,其特征在于,包括:/n底座,开设有贯通所述底座且用于安装所述砷化镓晶圆的安装孔,所述安装孔的侧壁上设有限位凸起;/n定位组件,能够与所述底座固定连接,且所述定位组件与所述限位凸起能够分别与所述砷化镓晶圆的相对的两个表面的边缘相抵接而夹持固定所述砷化镓晶圆;/n其中,所述底座和所述定位组件的熔点均在1000℃以上;/n砷化镓晶圆用除氧托盘还包括透明的限位板,所述限位板能够收容于所述安装孔内,并能够与所述限位凸起相抵接,所述限位板能够与所述底座共同配合形成用于安装所述砷化镓晶圆的容置槽,当所述限位板收容于所述安装孔内时,所述限位板和所述定位组件能够共同配合夹持固定所述砷化镓晶圆,且所述限位板和所述定位组件共同配合夹持固定所述砷化镓晶圆时,所述限位板位于所述限位凸起和所述砷化镓晶圆之间,所述限位板与所述砷化镓晶圆直接接触,所述限位板的熔点在1000℃以上;/n所述定位组件包括环形板和螺纹紧固件,所述螺纹紧固件能够穿设于所述环形板后与所述底座固定连接,而将所述环形板与所述底座固定连接,其中,所述环形板能够与所述砷化镓晶圆的边缘相抵接,并与所述限位凸起共同配合夹持固定所述砷化镓晶圆,所述环形板和所述螺纹紧固件的熔点均在1000℃以上;/n当所述环形板固定在所述底座上时,所述环形板与所述安装孔共轴设置,所述环形板的内径小于所述安装孔的直径,且所述环形板的内径与所述安装孔的直径相差不超过2毫米;/n所述安装孔为圆形,所述限位凸起沿所述安装孔的一个开口设置一周,并与所述安装孔共轴设置,所述限位凸起的内圈的半径与所述安装孔的半径相差不超过1毫米;/n限位板为平板状。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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