[发明专利]一种单晶六硼化镧场发射阵列阴极的制备方法

摘要

本发明公开了一种单晶六硼化镧场发射阵列阴极的制备方法，属于阴极场发射技术领域。本发明采用纳秒脉冲电化学腐蚀工艺刻蚀形成单晶六硼化镧场发射阵列阴极，通过调节加工脉冲电流参数和刻蚀时间，使得单晶六硼化镧基底加工区和非加工区的极化过电位产生显著差别，从而有效地克服了电化学腐蚀工艺进行尖锥阵列刻蚀过程中的杂散腐蚀，提高了尖锥阵列阴极的均匀性，进而改善和提高阴极场发射性能，使得单晶六硼化镧场发射尖锥阵列阴极作为电子源在行波管、速调管等微波器件和大型动态真空设备等领域具有广阔应用的前景。

主权项

一种单晶六硼化镧场发射阴极阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：将单晶六硼化物基片进行研磨抛光后清洗干净；步骤B：在经步骤A处理所得单晶六硼化物基片上沉积保护层，并通过光刻和刻蚀使得所述保护层上形成所需图形；步骤C：将表面保护层图案化的单晶六硼化镧基片和石墨棒浸入电解液中，然后将单晶六硼化镧基片与电源正极相连，将石墨棒与电源负极相连，利用外加脉冲电流进行刻蚀形成单晶六硼化镧尖锥阵列，将所述单晶六硼化镧尖锥阵列上剩余的保护层去除，最终制得单晶六硼化镧场发射阴极阵列。