[发明专利]紫外发光二极管器件的制备方法

摘要

一种紫外发光二极管器件的制备方法，包括如下步骤在衬底上生长含In或含Ga的AlN低温成核层；在低温成核层上生长AlN高温缓冲层；在AlN高温缓冲层上依次生长N型AlxGa1‑xN电极接触层、AlxGa1‑xN量子阱层、AlxGal‑xN电子阻挡层、P型AlxGal‑xN层和P型InxGal‑xN电极接触层；在P型InxGal‑xN电极接触层的上面向下依次刻蚀，暴露出N型AlxGa1‑xN电极接触层，在N型AlxGa1‑xN电极接触层上的一侧形成LED芯片PN结的台面；在台面上制备n型接触电极；在P型InxGa1‑xN电极接触层上制备p型接触电极。本发明可以提高UV‑LED发光效率，消除了光刻和刻蚀工艺可能会对设备造成的污染，并降低器件的加工成本。

主权项

一种紫外发光二极管器件的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长含In或含Ga的AlN低温成核层；步骤2：在低温成核层上生长AlN高温缓冲层，高温过程中In和Ga析出、蒸发，使低温成核层自组装形成空气隙；步骤3：在AlN高温缓冲层上依次生长N型AlxGa1‑xN电极接触层、AlxGa1‑xN量子阱层、AlxGa1‑xN电子阻挡层、P型AlxGa1‑xN层和P型InxGa1‑xN电极接触层；步骤4：在P型InxGa1‑xN电极接触层的上面向下依次刻蚀P型InxGa1‑xN电极接触层、P型AlxGa1‑xN层、AlxGa1‑xN电子阻挡层和AlxGa1‑xN量子阱层，暴露出N型AlxGa1‑xN电极接触层，在N型AlxGa1‑xN电极接触层上的一侧形成LED芯片PN结的台面；步骤5：在N型AlxGa1‑xN电极接触层一侧的台面上制备n型接触电极；步骤6：在P型InxGa1‑xN电极接触层上制备p型接触电极，完成制备。