[发明专利]一种抛光液及应用该抛光液对锑化镓晶片进行抛光的方法有效
| 申请号： | 201611114093.6 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106590439B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 程雨;肖钰;李春领 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 于金平 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抛光液及应用该抛光液对锑化镓进行抛光的方法，本发明的抛光液对锑化镓材料抛光去除速率高，抛光后晶片表面光洁平坦，并且无崩边掉渣，且本发明的抛光工艺方法简单，人为控制因素较少，可用率大大提高，有利于降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光液 锑化镓 抛光 人为控制因素 材料抛光 晶片表面 抛光工艺 光洁 崩边 掉渣 晶片 可用 去除 应用 平坦 | ||
【主权项】：
1.一种对锑化镓晶片进行抛光的方法，其特征在于，包括：通过所述抛光液对抛光机上的锑化镓晶片进行抛光，抛光转速为40～50rpm，抛光压力为100～120g/cm2，所述抛光液滴速为10～15ml/min，锑化镓的抛光去除速率为2～5微米/min；所述抛光液的温度为20～30℃；将抛光后的锑化镓晶片通过无水乙醇进行清洗，并用氮气吹干；其中，所述抛光液包括：质量分数为10％～15％的SiO2磨料、体积分数为5％～10％的双氧水以及体积分数为0.5％～1.5％的冰醋酸，其中SiO2磨料的粒径为0.04～0.1微米；或者，质量分数为10％～15％的SiO2磨料、体积分数为5％～10％的双氧水以及体积分数1％～4％的乳酸，其中SiO2磨料的粒径为0.04～0.2微米；或者，质量分数为5％～10％的Al2O3磨料、体积分数为5％～10％的双氧水以及体积分数为0.5％～1.5％的冰醋酸，其中Al2O3磨料的粒径为0.1～0.5微米；或者，质量分数为5％～10％的Al2O3磨料、体积分数为5％～10％的双氧水以及体积分数为1％～4％的乳酸，其中Al2O3磨料的粒径为0.1～0.5微米；SiO2和Al2O3磨料的机械化学抛光底液的pH值为5～7或者7～9。
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