[发明专利]一种Fe-P合金基复合镀层的制备工艺在审
| 申请号： | 201611111605.3 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108149304A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 刘志红 | 申请（专利权）人： | 刘志红 |
| 主分类号： | C25D15/00 | 分类号： | C25D15/00;C25D3/56;C25D5/06;C25D5/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410076 湖南省长沙市天心区*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种Fe‑P合金基复合镀层，基体材质为非晶/纳米晶Fe‑P合金，Fe含量为复合镀层的80‑90wt%，P含量为复合镀层的8‑20wt%，所述复合镀层中第二相为VC1‑x、TiC等晶粒长大抑制剂，含量为复合镀层的0‑5wt%。制备工艺为，（1）金属被镀表面的预处理；（2）第二相粒子的活化；（3）电刷镀Fe‑P非晶复合镀层；（4）Fe‑P非晶复合镀层部分晶化转变。 | ||
| 搜索关键词： | 复合镀层 非晶 制备工艺 合金基 晶粒长大抑制剂 预处理 第二相粒子 基体材质 第二相 电刷镀 纳米晶 活化 晶化 合金 金属 | ||
【主权项】：
一种Fe‑P合金基复合镀层，其特征在于，基体材质为非晶/纳米晶Fe‑P合金，Fe含量为复合镀层的80‑90wt%，P含量为复合镀层的8‑20wt%（优选10‑15wt%），所述复合镀层中第二相为VC1‑x、TiC等晶粒长大抑制剂，含量为复合镀层的0‑5wt%（优选0.5‑2wt%）。
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