[发明专利]鳍式场效应晶体管器件

摘要

揭露鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种鳍式场效应晶体管器件包括具有至少一个鳍片的衬底、第一栅堆叠以及第二栅堆叠、第一应变层以及第二应变层、遮蔽层、第一连接件以及第二连接件。第一栅堆叠以及第二栅堆叠横跨至少一个鳍片。第一应变层以及第二应变层分别在第一栅堆叠以及第二栅堆叠侧边。遮蔽层在第二栅堆叠上方以及在第一栅堆叠的顶表面及侧壁上方，且在第一栅堆叠的顶角周围不连续。第一连接件通过遮蔽层且电连接到第一应变层。第二连接件通过遮蔽层且电连接到第二应变层。此外，第二连接件的宽度大于第一连接件的宽度。

主权项

一种鳍式场效应晶体管器件，其特征在于包括：具有至少一个鳍片的衬底；第一栅堆叠以及第二栅堆叠，横跨所述至少一个鳍片；第一应变层，在所述第一栅堆叠侧边；第二应变层，在所述第二栅堆叠侧边；遮蔽层，在所述第二栅堆叠上方以及在所述第一栅堆叠的顶表面及侧壁上方，且在所述第一栅堆叠的顶角周围不连续；第一连接件，通过所述遮蔽层且电连接到所述第一应变层；以及第二连接件，通过所述遮蔽层且电连接到所述第二应变层，其中所述第二连接件的宽度大于所述第一连接件的宽度。