[发明专利]一种LED制备方法、LED和芯片有效
| 申请号： | 201611110161.1 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN106784179B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 腾龙;霍丽艳;黄小辉;周德保;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨泽;刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED制备方法、LED和芯片，属于发光二极管技术领域。该方法包括：在衬底上依次生长U型氮化镓层和N型氮化镓层；在所述N型氮化镓层上依次生长M个量子阱结构，其中，所述量子阱结构包括量子阱层、盖帽层和势垒层，其中，M为大于等于10的整数；对M个量子阱结构中的Q个量子阱结构中的量子阱层进行低压分离处理，其中，Q为小于等于M的整数；在所述量子阱结构上生长在所述P型氮化镓层。本发明提供的LED制备方法、LED和芯片，提高了LED亮度和波长的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种LED制备方法，其特征在于，包括：在衬底上依次生长U型氮化镓层和N型氮化镓层；在所述N型氮化镓层上依次生长M个量子阱结构，其中，所述量子阱结构包括量子阱层、盖帽层和势垒层，其中，M为大于等于10的整数；对M个量子阱结构中的Q个量子阱结构中的量子阱层进行低压分离处理，其中，Q为小于等于M的整数；在所述量子阱结构上生长在P型氮化镓层；其中，所述对M个量子阱结构中的Q个量子阱结构中的量子阱层进行低压分离处理，包括：在所述Q个量子阱结构中的每一个量子阱层的开始生长时，调节预设温度属于预设温度区间，预设压力属于预设压力区间，通入镓源化合物、铟源化合物、氨气和氮气，生成所述每一个量子阱层；在所述每一个量子阱层生成之后，在第一时间段内，保持预设温度，调节预设压力为第一压力，停止通入镓源化合物，对所述量子阱层进行低压分离处理，所述第一压力属于所述预设压力区间，所述第一时间段属于预设时间区间；或者；所述对M个量子阱结构中的Q个量子阱结构中的量子阱层进行低压分离处理，包括：在所述Q个量子阱结构中的每一个量子阱层的开始生长时，调节预设温度属于预设温度区间，预设压力属于预设压力区间，通入镓源化合物、铟源化合物、氨气和氮气，生成所述每一个量子阱层；在所述每一个量子阱层生成之后，在第二时间段内，保持预设温度，调节预设压力为第二压力，停止通入镓源化合物，对所述量子阱层进行低压分离处理，所述第二压力属于预设压力区间；在第三时间段内，保持预设温度，调节预设压力为第三压力，停止通入镓源化合物，对所述量子阱层进行低压分离处理，所述第三压力属于预设压力区间，且所述第二压力与所述第三压力不同。
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