[发明专利]一种异质结双极晶体管的基极结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201611107889.9 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN106684121A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 郑茂昌 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/331;H01L21/28;H01L29/737 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质结双极晶体管的基极结构，包括基极半导体层以及设于基极半导体层之上的基极金属，所述基极金属包括依次层叠的扩散阻挡层和上金属层，所述扩散阻挡层将所述上金属层和所述基极半导体层隔开以阻挡所述上金属层扩散进入所述基极半导体层，其中所述上金属层的边缘相对所述扩散阻挡层的边缘内缩0.05～0.1μm。本发明还公开了上述结构的制作方法，通过两道光罩工艺来实现上金属层和扩散阻挡层不同的宽度，可有效防止上金属层边缘的金属由扩散阻挡层边缘扩散至基极半导体层，解决了漏电问题，增加了器件的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 双极晶体管 基极 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种异质结双极晶体管的基极结构，包括基极半导体层以及设于基极半导体层之上的基极金属，其特征在于：所述基极金属包括依次层叠的扩散阻挡层和上金属层，所述扩散阻挡层将所述上金属层和所述基极半导体层隔开以阻挡所述上金属层扩散进入所述基极半导体层，其中所述上金属层的边缘相对所述扩散阻挡层的边缘内缩0.05～0.1μm。
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