[发明专利]半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积装置在审
| 申请号： | 201611104605.0 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN108149293A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 金鑫 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D17/00;C25D17/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 张海英;林波 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积装置，属于半导体晶圆电沉积领域，为解决现有技术电沉积层均匀性差等问题而设计。本发明半导体晶圆电沉积方法是阳极仅针对待电沉积半导体晶圆的中部进行电沉积，以避免电场线在所述待电沉积半导体晶圆的边缘处集中并产生边缘效应。本发明半导体晶圆电沉积装置包括夹具、挡板、以及阳极，待电沉积半导体晶圆与挡板之间留有间隔；在挡板上开设有挡板通孔，挡板通孔的位置对应于待电沉积半导体晶圆且挡板通孔的面积小于待电沉积半导体晶圆的面积。本发明半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积装置消除电沉积边缘效应，提高电沉积均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶圆 电沉积 电沉积装置 挡板通孔 挡板 阳极 边缘效应 夹具 电沉积层 均匀性差 边缘处 电场线 均匀性 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆电沉积方法，其特征在于，阳极(2)仅针对待电沉积半导体晶圆(15)的中部进行电沉积，以避免电场线在所述待电沉积半导体晶圆(15)的边缘处集中并产生边缘效应。
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