[发明专利]一种反馈型D锁存器

摘要

本发明公开了一种反馈型D锁存器，包括反相器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管，第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极、第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的栅极连接，第一PMOS管的栅极、第一NMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极、第三NMOS管的栅极、第三PMOS管的漏极和第五NMOS管的漏极连接，第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极和第三NMOS管的漏极连接，第四NMOS管的漏极和第五NMOS管的源极连接，第四NMOS管的栅极和第五NMOS管的栅极连接，反相器的输出端、第四NMOS管的源极和第三PMOS管的源极连接；优点是功耗较低，输出稳定，鲁棒性较好。

主权项

一种反馈型D锁存器，其特征在于包括反相器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管；所述的第一PMOS管的源极和所述的第二PMOS管的源极分别接入电源，所述的第一PMOS管的漏极、所述的第二PMOS管的栅极、所述的第一NMOS管的漏极和所述的第二NMOS管的栅极连接且其连接端为所述的反馈型D锁存器的输出端，所述的第一PMOS管的栅极、所述的第一NMOS管的栅极、所述的第二PMOS管的漏极、所述的第二NMOS管的漏极、所述的第三NMOS管的栅极、所述的第三PMOS管的漏极和所述的第五NMOS管的漏极连接，所述的第一NMOS管的源极、所述的第二NMOS管的源极和所述的第三NMOS管的漏极连接，所述的第三NMOS管的源极接地，所述的第四NMOS管的漏极和所述的第五NMOS管的源极连接，所述的第四NMOS管的栅极和所述的第五NMOS管的栅极连接且其连接端为所述的反馈型D锁存器的时钟端，所述的反相器的输入端为所述的反馈型D锁存器的输入端，所述的反相器的输出端、所述的第四NMOS管的源极和所述的第三PMOS管的源极连接，所述的第三PMOS管的栅极为所述的反馈型D锁存器的反相时钟输入端。