[发明专利]一种快速响应动态锁存比较器有效

专利信息
申请号: 201611096658.2 申请日: 2016-12-02
公开(公告)号: CN106374929B 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 段吉海;洪喆颖;徐卫林;韦保林;韦雪明 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: H03M1/34 分类号: H03M1/34
代理公司: 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 代理人: 陈跃琳
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开一种快速响应动态锁存比较器,包括尾开关单元、预放大输入单元、预放大复位单元、锁存输入单元、交叉耦合锁存结构单元、隔离开关单元、锁存复位单元和正反馈单元。隔离开关单元在复位阶段截止,并在锁存输入NMOS对管的作用下使交叉耦合锁存结构中的PMOS管栅电位为地GND,在锁存复位PMOS对管的作用下使交叉耦合锁存结构中的NMOS管栅电位为VDD,使得交叉耦合锁存结构在进入比较阶段时迅速建立正反馈,进而提高比较器速度。本发明能够在不增加功耗的前提下,改善了传统双尾动态锁存比较器随差分输入电压减小延时急剧增加的不足,降低了比较器延时对差分输入电压的灵敏度,提高了比较器性能。
搜索关键词: 一种 快速 响应 动态 比较
【主权项】:
一种快速响应动态锁存比较器,包括比较器本体;该比较器本体包括尾开关单元、预放大输入单元、预放大复位单元、锁存输入单元、交叉耦合锁存结构单元、锁存复位单元和正反馈单元;其特征在于:所述比较器本体还进一步包括隔离开关单元,该隔离开关单元设置在交叉耦合锁存结构单元上;上述隔离开关单元,在复位阶段,截止并断开正反馈;在比较阶段,在锁存输入NMOS对管的作用下使交叉耦合锁存结构中的PMOS管栅电位为地GND,同时在锁存复位PMOS对管的作用下使交叉耦合锁存结构中的NMOS管栅电位为VDD,使得交叉耦合锁存结构在进入比较阶段时迅速建立正反馈,进而提高比较器本体的速度。
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