[发明专利]一种降低开关二极管结电容的键合结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611096567.9 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106449433A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 薛维平 | 申请（专利权）人： | 上海芯石微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201605 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 常规开关二极管工艺使用的硅片，都是在低阻硅层上生长高阻硅层的外延片，由于外延生长过程中掺杂物质扩散速度很快，在电阻率小于0.01Ω.㎝的低阻硅层上生长的高阻硅层的电阻率很难做到300Ω.㎝以上，本发明是在电阻率小于0.01Ω.㎝的低阻硅层上键合30‑70微米厚度，电阻率大于1000Ω.㎝的高阻硅层，用此结构硅片制造的开关二极管比常规开关二极管结电容低20%以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 开关二极管 电容 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种降低开关二极管结电容的键合结构，其结构包括：在低阻硅层（101）上是一层高阻硅层（102），低阻硅层电阻率小于0.01Ω.㎝，高阻硅层电阻率大于1000Ω.㎝，高阻硅层厚度（301）范围是30‑70微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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