[发明专利]一种汞离子纳米传感器及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201611093781.9 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106596480B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 龙峰;王宏亮;吴君 | 申请（专利权）人： | 中国人民大学 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;G01N33/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100872 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种汞离子纳米传感器及其制备方法与应用。本发明提供的离子传感器，由光纤和包覆于所述光纤一端表面的羧基化量子点组成。上述离子传感器中，所述光纤为石英光纤；被所述羧基化量子点包覆的光纤的形状为锥形。所述羧基化量子点为表面修饰有羧基的CdSe/ZnS核壳式量子点；所述羧基化量子点的最大发射波长为605nm。本发明不仅无需考虑由pH、离子强度等条件引起的粒子团聚的问题，省略了众多的样品预处理步骤，而且还拥有更快的信号响应速度。此外，该方法拥有较高的灵敏度(检测限在nM数量级)，能够满足各种水质标准中汞控制指标的要求，因而在实际中具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 纳米 传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种离子传感器，由光纤和包覆于所述光纤一端表面的羧基化量子点组成。
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