[发明专利]接合系统和相关装置及方法在审
| 申请号： | 201611092245.7 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107026103A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 黄信华;刘丙寅;梁晋玮;林勇志;刘冠良;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种接合系统，其包括存储装置，包括腔室，其中，腔室配置为容纳从负载端口转移的第一半导体晶圆和第二半导体晶圆，并且气体被提供至腔室以将氧气排出腔室；表面处理站，配置为对从存储装置转移的第一半导体晶圆和第二半导体晶圆执行表面激活；清洗站，配置为从表面处理站转移的第一半导体晶圆和第二半导体晶圆的表面去除不期望的物质；以及预接合站，配置为将第一半导体晶圆和第二半导体晶圆接合在一起以产生接合的第一半导体晶圆和第二半导体晶圆对，其中，第一半导体晶圆和第二半导体晶圆从清洗站转移。本发明实施例还公开了相关的装置和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 系统 相关 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种接合系统，包括：存储装置，包括腔室，其中，所述腔室配置为容纳从负载端口转移的第一半导体晶圆和第二半导体晶圆，并且气体被提供至所述腔室以将氧气排出所述腔室；表面处理站，配置为对从所述存储装置转移的所述第一半导体晶圆和所述第二半导体晶圆执行表面激活；清洗站，配置为从所述表面处理站转移的所述第一半导体晶圆和所述第二半导体晶圆的表面去除不期望的物质；以及预接合站，配置为将所述第一半导体晶圆和所述第二半导体晶圆接合在一起以产生接合的第一半导体晶圆和第二半导体晶圆对，其中，所述第一半导体晶圆和所述第二半导体晶圆从所述清洗站转移。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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