[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201611085233.1 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106972049A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 侯承浩;许家玮;于雄飞 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种共掺杂鳍式场效晶体管的方法及结构包括形成一栅极堆叠，以至少局部位于延伸自一基底的一鳍部上方。在各个不同的实施例中，一阻挡金属层沉积于栅极堆叠上方。进行一热氟处理，其形成一氟化层于阻挡金属层内，且氟化层具有多个氟原子。在一些实施例中，在形成氟化层之后，进行退火以驱入至少一些的氟原子于栅极堆叠内(驱入界面层及高介电常数介电层)，借以利用上述至少一些的氟原子共掺杂栅极堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括︰形成一栅极堆叠以至少局部位于延伸自一基底的一鳍部上方；沉积一阻挡金属层于该栅极堆叠上方；进行一热氟处理，其中该热氟处理形成一氟化层于该阻挡金属层内，且其中该氟化层具有多个氟原子；以及在形成该氟化层之后，进行退火以驱入至少一些的该等氟原子于该栅极堆叠内，借以利用该至少一些的该等氟原子共掺杂该栅极堆叠。
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