[发明专利]一种多晶硅复投方法

摘要

本发明涉及多晶硅技术领域，尤其是一种多晶硅复投方法；以棒状原生多晶硅为初装原料加入石英坩埚中，并置于单晶炉主室中加热熔融；将平均粒径为1‑1.5mm的颗粒状多晶硅装入复投器，复投器将多晶硅分别投放在两层闸板上，使用时，两层闸板中位于下方的闸板先打开将物料由单晶炉副室进入到单晶炉主室中，然后下方的闸板闭合，位于上方的闸板打开将多晶硅投放到位于下方的闸板上，复投器继续投料，从而实现连续投料；本发明中采用连续复投工艺实现单炉次多颗单晶连续生产，解决现有太阳能级直拉单晶硅生产中首次投料量不足、坩埚利用率低以及埚底料剩出多的问题，方法采用的设备简单、操作简便，可有效降低生产成本提高生产成本。

主权项

1.一种多晶硅复投方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)以棒状原生多晶硅为初装原料加入石英坩埚中，并置于单晶炉主室中加热熔融；(2)将平均粒径为1‑1.5mm的颗粒状多晶硅装入复投器，所述复投器的出料口位于单晶炉副室的进料口内，单晶炉副室内有两层闸板，所述两层闸板分别包括左板和右板，复投器将多晶硅分别投放在两层闸板上，使用时，两层闸板中位于下方的闸板先打开将物料由单晶炉副室进入到单晶炉主室中，然后下方的闸板闭合，位于上方的闸板打开将多晶硅投放到位于下方的闸板上，复投器继续投料，从而实现连续投料；所述左板和右板上分别有左弧形斜板和右弧形斜板，所述左弧形斜板和右弧形斜板构成一个锥形槽，所述锥形槽位于 闸板的中心位置；(3)进入到主室中的多晶硅熔融后按照常规方法拉制单晶，单晶提拉结束后，晶体以450‑500mm/h速度缓慢上升冷却100‑120分钟，然后将晶棒快速升到副炉室充氩气，取出；所述步骤(3)中单晶提拉结束后，晶体以480mm/h速度缓慢上升冷却120分钟。