[发明专利]SRAM器件及其制造方法

摘要

一种SRAM器件及其制造方法，制造方法包括：在上拉晶体管区以及下拉晶体管区的部分基底上形成栅介质层；在栅介质层上形成第一功函数层；刻蚀去除所述下拉晶体管区的第一功函数层；在剩余第一功函数层以及下拉晶体管区上形成第二功函数层，所述第二功函数层的材料为P型功函数材料；在所述上拉晶体管区的剩余第二功函数层侧壁以及剩余第一功函数层侧壁上形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上、上拉晶体管区的第二功函数层顶部上以及下拉晶体管区的栅介质层上形成第三功函数层，所述第三功函数层的材料为N型功函数材料；在所述第三功函数层上形成栅电极层。本发明改善SRAM器件的电学参数失配，优化形成的SRAM器件的电学性能。

主权项

1.一种SRAM器件的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括相邻接的上拉晶体管区以及下拉晶体管区；在所述上拉晶体管区以及下拉晶体管区的部分基底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成第一功函数层，所述第一功函数层的材料为P型功函数材料；刻蚀去除所述下拉晶体管区的第一功函数层；在剩余第一功函数层以及下拉晶体管区上形成第二功函数层，所述第二功函数层的材料为P型功函数材料；刻蚀去除所述下拉晶体管区的第二功函数层；在所述上拉晶体管区的剩余第二功函数层侧壁以及剩余第一功函数层侧壁上形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上、上拉晶体管区的第二功函数层顶部上以及下拉晶体管区的栅介质层上形成第三功函数层，所述第三功函数层的材料为N型功函数材料；在所述第三功函数层上形成栅电极层。