[发明专利]修调带隙基准的电路及方法在审

专利信息
申请号: 201611079716.0 申请日: 2016-11-30
公开(公告)号: CN108121390A 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 沈天平;罗先才 申请(专利权)人: 无锡华润矽科微电子有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 214000 江苏省无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种修调带隙基准的电路,其中包括多个第一修调电阻、多个第一激光熔丝、多个第三修调电阻和多个第三激光熔丝,还包括一种修调带隙基准的方法。采用该修调带隙基准的电路及方法,保证了基准电压绝对值输出一致性提高,省去客户生产时的电位器成本和人工校准成本,同时生产效率提升;使基准电压的绝对值可以正向或负向调节,同时也可以对基准电压的温度系数进行双向调节;解决了数字万用表芯片本身由于基准电压受工艺影响导致离散性失效的问题,提升了良率;芯片的面积和成本几乎不受影响,具有广泛的应用范围。
搜索关键词: 带隙基准 基准电压 电路 激光熔丝 电阻 芯片 数字万用表 工艺影响 生产效率 双向调节 温度系数 校准 电位器 离散性 面积和 负向 良率 正向 输出 客户 应用 保证 生产
【主权项】:
一种修调带隙基准的电路,其特征在于,所述的电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一N型MOS管、第二N型MOS管、运算放大器、缓冲器、电容、多个第一修调电阻、多个第一激光熔丝、多个第三修调电阻和多个第三激光熔丝,所述的多个第一修调电阻与所述的多个第一激光熔丝一一对应,所述的多个第三修调电阻与所述的多个第三激光熔丝一一对应,所述的第一三极管的基极与所述的第一三极管的集电极相连接并接VDD,所述的第一三极管的发射极分别与所述的第二三极管的基极、所述的第三三极管的基极、所述的第二三极管的集电极和所述的第三三极管的集电极相连接,所述的多个第一修调电阻串联连接于所述的第三三极管的发射极和所述的第三电阻的第一端之间,所述的多个第一激光熔丝分别并联于对应的第一修调电阻的两端,所述的第三电阻的第二端分别与所述的运算放大器的正相输入端和所述的第二电阻的第一端相连接相连接,所述的运算放大器的反相输入端分别与所述的第二三极管的发射极和所述的第四电阻的第一端相连接,所述的第四电阻的第二端分别与所述的第一电阻的第一端和所述的第二电阻的第二端相连接,所述的多个第三修调电阻串联连接于所述的第一电阻的第二端和所述的第一N型MOS管的漏极之间,所述的多个第三激光熔丝分别并联于对应的第三修调电阻的两端,所述的第一N型MOS管的栅极接VBIAS,所述的第一N型MOS管的源极与所述的第二N型MOS管的源极相连接并接地,所述的第二N型MOS管的漏极分别与所述的第一N型MOS管的漏极、所述的缓冲器的正相输入端和所述的电容的第一端相连接,所述的电容的第二端分别与所述的第二N型MOS管的栅极和所述的运算放大器的输出端相连接,所述的缓冲器的反相输入端与所述的缓冲器的输出端相连接。
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