[发明专利]一种热释电弛豫单晶超薄灵敏芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201611079479.8 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106784290B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李龙 | 申请（专利权）人： | 北立传感器技术（武汉）有限公司 |
| 主分类号： | H01L37/00 | 分类号： | H01L37/00;H01L37/02 |
| 代理公司： | 武汉谦源知识产权代理事务所(普通合伙) 42251 | 代理人： | 尹伟 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东西*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种热释电弛豫单晶超薄灵敏芯片及其制备方法，其制备方法包括：对单晶片的正反面进行研磨与化学机械抛光，再在研磨与化学机械抛光后的所述单晶片正反面真空蒸镀金属膜层；制备黑化物，将所述黑化物喷涂在镀膜后的所述单晶片反面，并在所述单晶片反面形成掩膜黑化层。本发明的一种热释电弛豫单晶超薄灵敏芯片的制备方法，采用新型化学机械研磨与抛光技术，真空蒸镀金属膜层以及超声喷涂聚合物掩膜黑化层技术的方式，达到大尺寸热释电单晶材料的有效减薄，保证金属镀膜层的牢固度，以及黑化吸收层的均匀性、高附着力和高红外吸收率，为批量化制作高性能、高均匀性新型热释电弛豫铁电单晶灵敏芯片提供了新的方向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热释电弛豫单晶 超薄 灵敏 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种热释电弛豫单晶超薄灵敏芯片的制备方法，其特征在于,包括如下步骤：步骤1：对单晶片的正反面进行研磨与化学机械抛光，再在研磨与化学机械抛光后的所述单晶片真反面真空蒸镀金属膜层；步骤2：制备黑化物，将所述黑化物喷涂在镀膜后的所述单晶片反面，并在所述单晶片反面形成掩膜黑化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北立传感器技术（武汉）有限公司，未经北立传感器技术（武汉）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611079479.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种发电复合膜及其制备方法
- 下一篇：制冷器件及其制备方法
