[发明专利]鳍式场效晶体管器件的接触结构在审
| 申请号： | 201611075617.5 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106960876A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 揭露接触结构、鳍式场效晶体管器件及其形成方法。一种接触结构包括源极/漏极区、掩模层、接触件以及遮蔽图案。所述源极/漏极区位于两个栅堆叠之间。掩模层位于所述栅堆叠上方且具有对应于所述源极/漏极区的开口。所述接触件电性连接至所述源极/漏极区、穿过所述掩模层的所述开口，且突出于所述掩模层的上方和下方。所述遮蔽图案位于所述掩模层与所述接触件之间且与所述掩模层实体接触。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式场效 晶体管 器件 接触 结构 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效晶体管器件的接触结构，其特征在于包括：源极/漏极区，位于两个栅堆叠之间；掩模层，位于所述栅堆叠上方且具有对应于所述源极/漏极区的开口；接触件，电性连接至所述源极/漏极区、穿过所述掩模层的所述开口，且突出于所述掩模层的上方和下方；以及遮蔽图案，位于所述掩模层与所述接触件之间且与所述掩模层实体接触。
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