[发明专利]用于制备镀敷基底的组合物以及所制备的镀敷基底在审
申请号: | 201611067710.1 | 申请日: | 2016-11-25 |
公开(公告)号: | CN107488840A | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 金原正幸;樫崎溪 | 申请(专利权)人: | 株式会社胶体油墨 |
主分类号: | C23C18/28 | 分类号: | C23C18/28;C23C18/18;C25D5/56;C25D5/54 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 钟晶,陈彦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种用于形成镀敷基底的组合物,在该镀敷基底上实施镀敷时不需要预处理,尤其是不需要传统上认为必需的对镀敷基底进行的活性化处理,还提供由此形成的镀敷基底以及在该镀敷基底上形成镀敷层的方法。该镀敷基底是通过涂布和干燥金属纳米粒子分散液或金属纳米粒子分散油墨而形成的涂布膜,在该金属纳米粒子分散液或金属纳米粒子分散油墨中金属纳米粒子被少量保护剂保护。因此,可以通过镀敷获得金属膜,而不需要诸如基材清洗、施加和活性化催化剂的操作。由于不需要使用酸或碱溶液来清洗基材或对其在高温进行热处理,作为基材可以使用多种不同的材料。 | ||
搜索关键词: | 用于 制备 基底 组合 以及 | ||
【主权项】:
一种用于形成镀敷基底的组合物,包括:(A)无机纳米粒子,其由选自由金属、半导体物质和金属氧化物组成的组中的至少一种或两种以上的物质构成,(B)至少一种或两种以上的有机π共轭配体,其包括酞菁和/或萘酞菁,并且该有机π共轭配体包括极性取代基,和(C)水或水溶性溶剂和/或分散介质;其中,通过从所述组合物实质上失去水或水溶性溶剂和/或分散介质,所述组合物的残渣呈现导电性。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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