[发明专利]一次烧制瓷质堆花砖的制备方法

摘要

本发明涉及一次烧制瓷质堆花砖的制备方法，所述一次烧制瓷质堆花砖包括主砖和堆花砖，所述制备方法包括以下步骤：（1）在坯体上施底釉；（2）在施底釉的坯体上进行主砖花的印花和堆花砖花的印花，生产出堆花砖坯体；（3）在步骤（2）所得的主砖和堆花砖坯体上施保护釉；（4）在步骤（3）所得的堆花砖坯体上印刷对应堆花砖花纹的浮凸材料形成立体层；（5）将步骤（3）所得的主砖坯体和步骤（4）所得的堆花砖坯体烧成，得到一次烧成的主砖和堆花砖。本发明既达到了三度烧产品花砖立体效果，又改善了三次烧产品的不足，增强产品的耐用性，节省能源、人工成本，可取得较好的经济和社会效益。

主权项

1.一次烧瓷质堆花砖的制备方法，其特征在于，所述一次烧制瓷质堆花砖包括主砖和堆花砖，所述制备方法包括以下步骤：（1）在坯体上施底釉，所述底釉的配方为：按质量百分比计，SiO₂ 54～58%、Al₂O₃ 23～26%、MgO 0.1～1.5%、CaO 0.1～1.5%、K₂O 3.5～4.5%、Na₂O 2～3%、烧失3.0～5.0%、ZrO₂ 4～6%；（2）在施底釉的坯体上进行主砖花的印花和堆花砖花的印花，生产出堆花砖坯体；（3）在步骤（2）所得的主砖和堆花砖坯体上施保护釉，所述保护釉的配方为：按质量百分比计，SiO₂ 54～58%、Al₂O₃ 24～27%、MgO 0.1～1.5%、CaO 0.1～1.5%、K₂O 3.5～4.5%、Na₂O 2～3%、烧失3.0～5.0%、ZnO 5～7%；（4）在步骤（3）所得的堆花砖坯体上印刷对应堆花砖花纹的浮凸材料形成立体层，所述浮凸材料为自缩釉，所述自缩釉的配方为：按质量百分比计，SiO₂ 30～35%、Al₂O₃ 8～10%、MgO 6.1～10%、CaO 18～25%、K₂O 0.5～1.5%、Na₂O 0～1%、烧失20.0～23.0%、ZnO 5～8%；（5）将步骤（3）所得的主砖坯体和步骤（4）所得的堆花砖坯体烧成，得到一次烧成的主砖和堆花砖。