[发明专利]基于蒙特卡洛算法的GaNHEMT噪声模型建立方法在审
| 申请号： | 201611062802.0 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106407629A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 陈勇波 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及基于蒙特卡洛算法的GaN HENT噪声模型建立方法，包括如下步骤建立GaN HENT器件的蒙特卡洛物理模型；根据GaN HENT器件的蒙特卡洛物理模型，计算获得GaN HENT器件的小信号Y矩阵；根据GaN HENT器件的蒙特卡洛物理模型，获取GaN HENT器件的栅极和漏极噪声电流源及其相关系数；根据GaN HENT器件的小信号Y矩阵和栅极、漏极噪声电流源，获得基于蒙特卡洛物理算法的GaN HEMT的噪声模型，以模拟GaN HEMT器件的结构和工艺参数对器件噪声性能的影响，用于优化器件的结构和工艺参数，预测器件性能，从而缩短开发周期，减少迭代次数，降低开发成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 蒙特卡洛 算法 ganhemt 噪声 模型 建立 方法 | ||
【主权项】：
基于蒙特卡洛算法的GaN HENT噪声模型建立方法，其特征在于，包括如下步骤：建立GaN HENT器件的蒙特卡洛物理模型；根据所述GaN HENT器件的蒙特卡洛物理模型，计算获得GaN HENT器件的小信号Y矩阵；根据所述GaN HENT器件的蒙特卡洛物理模型，获取GaN HENT器件的栅极和漏极噪声电流源及其相关系数；根据所述GaN HENT器件的小信号Y矩阵和栅极、漏极噪声电流源，获得基于蒙特卡洛物理算法的GaN HEMT的噪声模型。
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