[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括:提供基底，在所述基底上由下至上依次形成有层间介电层、半导体材料层；图案化所述半导体材料层，以在所述半导体材料层中形成露出所述层间介电层的开口；在所述开口侧壁的底部形成间隙壁结构；在所述基底上形成介电层以覆盖所述半导体材料层表面、所述开口的底部和侧壁、以及所述间隙壁结构；在所述介电层表面形成金属层，并图案化所述金属层，以形成位于所述开口的底部的第一金属图案和位于所述半导体材料层上的第二金属图案。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，通过形成位于所述开口侧壁的底部的间隙壁结构，有效避免了金属残留，保证了半导体器件的性能稳定。