[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201611057810.6 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106784210B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 马欢 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、第一空穴注入层、电子阻挡层、第二空穴注入层，所述第一空穴注入层包括交替层叠的P型AlInGaN层和P型InGaN层，所述电子阻挡层为AlGaN层，所述第二空穴注入层为间隔插入InN层的P型GaN层。本发明通过形成第一空穴注入层和第二空穴注入层时通入的In源分解后的富In气氛，降低P型掺杂剂中Mg掺杂的激活能，提高第一空穴注入层和第二空穴注入层中的空穴浓度，提高多量子阱层中空穴和电子的辐射复合效率，提升发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、第一空穴注入层、电子阻挡层、第二空穴注入层，所述第一空穴注入层包括交替层叠的P型AlInGaN层和P型InGaN层，所述电子阻挡层为AlGaN层，所述第二空穴注入层为间隔插入InN层的P型GaN层。
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