[发明专利]一种消除寄生振荡的49S石英晶体谐振器的制备方法在审
| 申请号： | 201611056946.5 | 申请日： | 2016-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN106656089A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 毛毅 | 申请（专利权）人： | 珠海东精大电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H3/04 |
| 代理公司： | 广州市红荔专利代理有限公司44214 | 代理人： | 王贤义 |
| 地址： | 519060 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种消除寄生振荡的49S石英晶体谐振器的制备方法，旨在提供产品良品率高的抗寄生干扰的49S石英晶体谐振器的制备方法。本发明包括以下步骤a.对晶片尺寸重新设计；b.设计石英晶片在研磨机上进行精细研磨间的频率预留量；c.根据设定的返回频率得出腐蚀频率，利用酸性溶液对石英晶片进行腐蚀；d.在低真空下，采用氮离子对石英晶片的表面进行轰击；e.设计电极尺寸；f.通过腐蚀频率和晶体谐振器频率差来确定膜层厚度之后进行镀膜，形成引出电极；g.将镀膜后的石英晶片装在基座上，点上导电胶并高温固化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 寄生 振荡 49 石英 晶体 谐振器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种消除寄生振荡的49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤：a.对晶片的长宽尺寸重新设计，消除晶片的寄生杂波；b.设计石英晶片在研磨机上进行粗、中、细精细研磨间的频率预留量，消除上道研磨工序造成的晶片表面破坏层；c.根据设定的返回频率得出合适的腐蚀频率后，利用酸性溶液对研磨后的石英晶片进行深度腐蚀；d.在低真空条件下，采用氮离子对石英晶片的表面进行轰击，清洁石英晶片的表面；e.对电极尺寸重新设计，进一步抑制电极尺寸寄生波的产生；f. 通过石英晶片的腐蚀频率和晶体谐振器频率差来确定膜层厚度之后进行镀膜，形成引出电极，并使其频率达到规定范围；g.将镀膜后的石英晶片装在基座上，点上导电胶并高温固化，得到所49S石英晶体谐振器。
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