[发明专利]半导体元件及其制造方法与存储器的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法与存储器的制造方法。半导体元件的制造方法包括：于基底及其上的材料层中形成第一与第二沟道，第一沟道的宽度小于第二沟道；形成覆盖材料层并填满第一与第二沟道的流动性隔离材料；移除第二沟道中的部分流动性隔离材料，使第二沟道侧壁上的流动性隔离材料的厚度介于至之间；于流动性隔离材料上形成非流动性隔离材料。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，包括：于基底上形成材料层；于所述材料层与所述基底中形成第一沟道与第二沟道，且所述第一沟道的宽度小于所述第二沟道的宽度；形成流动性隔离材料，覆盖所述材料层并填满所述第一沟道与所述第二沟道；移除所述第二沟道中的部分所述流动性隔离材料，使得位于所述第二沟道的侧壁上的所述流动性隔离材料的厚度介于至之间；以及于所述流动性隔离材料上形成非流动性隔离材料。